在全球半导体技术的激烈竞争中，韩国存储巨头SK海力士于近日在美国夏威夷举行的“VLSI 2024”半导体会议上，发布了其革命性的3D DRAM研究新成果。这次发布的报告不仅展示了SK海力士在3D存储技术领域的深厚实力，更为全球半导体行业带来了崭新的技术视角。

报告中，SK海力士详细阐述了其5层堆叠3D DRAM的研发进展。令人瞩目的是，该技术的制造良率已经达到了惊人的56.1%，这意味着在单个测试晶圆上制造的约1000个3D DRAM中，有约561个能够成功转化为可行器件。这一数据不仅展示了SK海力士在3D DRAM制造领域的卓越能力，更预示着该技术将有望在未来成为主流存储解决方案。

更令人兴奋的是，SK海力士的实验性3D DRAM在性能上已经显示出与目前广泛使用的2D DRAM相似的特性。这意味着，在保持存储密度和性能的同时，3D DRAM技术还能够克服传统2D DRAM在制造和成本上的限制，为未来的存储市场带来无限可能。