三星电子近日宣布在3D DRAM技术上取得重大突破，成功将存储器堆叠至16层，这一创新技术远超行业竞争对手美光的8层水平，再次巩固了三星在存储领域的领先地位。

据三星副社长李时宇透露，公司成功研发的VS-CAT型3D DRAM技术通过垂直堆叠方式，将单位面积的存储容量提升三倍，极大提高了数据处理效率。这一技术不仅减少了电流干扰，还提供了更稳定、高效的存储解决方案。

三星的3D DRAM技术预计将通过晶圆对晶圆（W2W）的混合键合技术实现，这已在NAND闪存和CMOS影像传感器中得到成功应用。

此外，三星还在研究垂直通道晶体管（VCT）形态的4F SQUARE 3D DRAM，该技术有望将晶粒面积缩小至原来的30%左右，进一步提升存储密度。

李时宇表示，三星计划于2025年展示4F SQUARE技术的试制品，并探索在DRAM上应用背面供电网络（BSPDN）的可能性。这一前沿技术旨在提升供电效率和稳定性，预计将在未来的2纳米制程中得到应用。