为了应对全球存储芯片需求的迅猛增长，韩国两大存储芯片巨头三星电子（Samsung Electronics）和SK海力士（SK Hynix）正在分别在平泽和无锡的工厂大力提升其DRAM芯片的产量。尤其是高带宽存储器（HBM）和通用DRAM的生产，已成为两家公司近期的重点。

三星电子在平泽的工厂已经在今年第二季度生产了82万片DRAM晶圆，比上一季度增长了27%。公司内部消息人士透露，高层管理人员已经下达指令，要求在第三季度将晶圆投入提升至88万片，第四季度进一步增加到90万片，以实现产能最大化。

SK海力士在HBM市场上占据了53%的份额，这使其在面对市场变化时具有一定的优势。然而，该公司也面临着空间限制的问题。在其M16X工厂竣工之前，SK海力士无法进一步扩展其DRAM生产线。尽管如此，公司依然致力于在现有条件下提高产量，争取在高需求市场中保持竞争力。

市场分析指出，由于越来越多的DRAM被用于HBM生产，个人电脑和移动设备等领域的通用DRAM供应量可能会受到影响。预计这种情况在今年第四季度将更加明显，供应短缺问题可能会进一步扩大。

尽管HBM的利润高于通用DRAM，但后者依然是两家公司的重要收入来源。目前，HBM仅占存储芯片总销售额的10%左右。市场研究公司S&P Global预测，到今年年底，HBM在SK海力士总收入中的占比可能提升至15-20%。

综上所述，三星和SK海力士在面对存储芯片市场需求激增的情况下，采取了积极的扩产和技术升级措施。这不仅有助于满足市场需求，也为两家公司未来的长期发展奠定了基础。通过不断创新和优化产能布局，韩国两大存储芯片制造商正迎来新的增长机遇。