厦门广电网报道称，士兰微电子集团近日在海沧启动了8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目。这一项目总投资高达120亿元，分两期建设，将主要生产SiC-MOSFET芯片，预计2025年开始试生产，达产后年产量将达到72万片。此举将大幅提升士兰微的碳化硅芯片制造能力，特别是在满足新能源汽车和其他功率逆变产品需求方面表现出色。

据悉，一期项目总投资达70亿元，计划于2025年三季度末初步通线，随后于2025年四季度进行试生产，达产后年产能将达到42万片。此次投资将有助于士兰微进一步巩固在碳化硅芯片领域的领先地位，并为国内新能源汽车、光伏、储能和充电桩等行业提供高性能的碳化硅芯片产品。

此前，士兰微电子集团曾发布公告，计划与厦门半导体投资集团有限公司、厦门新翼科技实业有限公司共同向子公司厦门士兰集宏半导体有限公司增资41.50亿元，并签署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目投资合作协议》。

士兰微的这一开工项目是继士兰集科的“12英寸特色工艺芯片生产线”和士兰明镓的“先进化合物半导体器件生产线”之后，在厦门落地的第三个重大项目。这不仅将加速厦门市第三代半导体产业的发展，还有助于士兰微加快其在车规级高端功率半导体领域的战略布局，为产业转型升级和新质生产力发展提供有力支持。