据韩国媒体ETNews引述市场消息报道，韩国两大存储器制造商三星电子和SK海力士目前的通用DRAM存储器产能利用率维持在80%至90%之间，远高于其他企业的NAND Flash快闪存储器产线的正常化情况。
尽管智能手机、PC和传统服务器等下游市场需求尚未完全恢复，标准型DRAM仍处于供大于求的状态。全球科技行业对人工智能基础设施的加强投资也减少了对传统服务器的需求，进一步影响了标准DRAM的市场需求。同时，高频宽存储器HBM的扩产可能会对标准DRAM的供应产生挤压效应，尽管有业内人士对此持不同看法。
2024年上半年，韩国DRAM产线开工率仅提升了10%，但仍有提升空间。DRAM测试企业的订单量并未显著扩大，预示着下半年可能出现供应紧张的情况。尽管如此，业界普遍认为，标准DRAM市场仍面临挑战，需要进一步关注市场动态。
这一情况显示出，韩国存储器巨头在当前市场环境下保持了高效产能利用率，但也需要应对全球科技市场快速变化的挑战。
