摩根士丹利（大摩）在其最新报告中对DRAM市场前景持悲观态度，并预测高带宽存储器（HBM）市场可能在明年出现供过于求的情况。大摩认为，随着市场分散化和AI领域投资达到高峰，HBM的产能可能会过剩。尽管内存厂商普遍认为HBM市场将持续旺盛至2025年，但大摩的观点是，内存厂商正将全球15%的DRAM产能转换为HBM产能，这仅需少量资本投资，预计不到2024年DRAM晶圆制造设备的10%。
大摩警告，如果按照当前计划进行，HBM的产能可能会过剩，导致实际产出逐渐赶上甚至超过当前被高估的需求量。一旦供过于求的情况发生，内存厂商可以将产能重新调整回DDR5的生产，并闲置一部分后端设备。
目前，全球HBM市场主要由SK海力士、三星和美光等三大厂商供应。尽管大摩对HBM市场持悲观态度，但SK海力士和三星仍然看好HBM的未来发展。在2024年的SEMICON Taiwan展会上，这两大厂商均发布了对HBM市场的积极看法，并推出了最新产品，同时强调将加强与其他晶圆厂的合作。
三星预测，HBM市场规模今年将达到16亿Gb，这一数字是2016年至2023年总和的两倍，显示出HBM市场的强劲增长潜力。三星还预计，AI的发展将推动DRAM市场的繁荣，并已准备好在年底量产下一代MCRDIMM，同时推出32Gb DDR5产品。
