在全球半导体行业的关键角逐中，ASML近日宣布向Intel交付了全球首台High NA EUV极紫外光刻机，并且正在积极推进Hyper NA EUV光刻机的研发工作。这一新型光刻机有望将半导体工艺推进至0.2nm，即2A（埃米）的细微度。ASML的初代Low NA EUV光刻机孔径数值为0.33，其产品线包括NXE系列的3400B/C、3600D、3800E，以及即将推出的4000F、4200G和4X00机型。这些设备预计将在2025年实现2nm级别的量产能力，并通过增加曝光次数，计划在2027年达到1.4nm级别的量产目标。

需要注意的是，这里提到的工艺节点，并非晶体管的实际物理尺寸，而是基于性能和能效比例提升的相对等效表述方式。例如，0.2nm工艺实际对应的晶体管金属间距在16-12nm之间，未来将进一步缩小至14-10nm。

Low、High和Hyper三个级别的光刻机将使用同一个EUV平台，并在多个模块上实现通用性，大幅降低了研发、制造和部署成本。然而，High NA光刻机的价格高达约3.5亿欧元，Hyper NA版本预计将更昂贵，并且接近物理极限。因此，无论是技术还是成本方面，在面对未来Hyper NA之后的路径时，目前仍有许多不确定性。

对此，IMEC微电子研究中心项目总监Kurt Ronse表示：“很难想象仅有0.2nm大小的装置元件，这仅相当于两个原子宽度。也许在某一刻，现有的光刻技术将会走到尽头。”

ASML的最新进展标志着半导体行业迈向了一个全新的里程碑，预示着未来芯片制造技术将进一步精细化和先进化。新一代EUV光刻机的推出，不仅将推动半导体工艺向更小尺度迈进，还将在技术和成本效益上带来重大突破。尽管面临诸多挑战和不确定性，但行业的创新势头令人鼓舞，值得期待其带来的更多突破和进展。