苏州优晶半导体科技股份有限公司（简称优晶科技）近日在SiC单晶生长技术上取得重要突破。其最新研发的8英寸电阻法SiC单晶生长设备成功通过技术鉴定评审，标志着国内大尺寸晶体生长技术迈上新台阶。
据了解，这款8英寸电阻法SiC单晶生长设备是优晶科技根据市场需求研发的最新产品，设备在稳定性、可靠性及工艺水准上均有所提升。鉴定委员会认为，该设备及工艺成果技术难度大、创新性强，拥有自主知识产权，对推动国内SiC产业发展具有重要意义。
优晶科技自2010年成立以来，一直致力于大尺寸导电型SiC晶体生长设备的研发、生产及销售。经过持续的技术创新和工艺优化，该公司已成功研制出UKING ERH SiC RV4.0电阻法SiC长晶设备，可用于6英寸、8英寸量产。
此外，优晶科技还在昆山建设了国内首条UKING电阻法6英寸SiC生产线，并计划在未来继续扩大产能。其设备的高智能化、高精度以及高度自动化的特点，使得晶体良品率和质量大幅提高。
此次8英寸电阻法SiC单晶生长设备的成功研发，有望为优晶科技在国内外市场的业务拓展提供有力支持。同时，也展示了优晶科技在SiC单晶生长技术领域的领先地位和创新能力。
