半导体材料:晶圆Fab厂对光刻胶的评估
来源:滤波器 发布时间:2024-06-03
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光刻胶被大量使用于晶圆生产之前必须通过Fab的评估。光刻胶的评估一般分为几个部分:
首先,判断这一材料是否符合Fab的基本要求,包括供应的稳定性、质量控制的可靠性等。
其次,是材料的工艺参数和基本性质,包括与各种有机溶剂的兼容性、材料在较高温(35℃)下储存的稳定性等。
最后,是评估光刻胶的光刻性能,光刻性能的评估都是针对具体光刻层的要求而进行的。
光刻胶评估的内容(Fab的基本要求及工艺参数)
例如,被评估的光刻胶是为了用于20nmRX光刻层的,那么使用RX和RX曝光条件(1ayer-specifc)。曝光显影后,对光刻胶图形做各种测量和分析,判断其光刻工艺窗口是否符合要求。以下列出了20nm RX光刻层评估的参数。由于20nmRX是193nm 浸没式曝光,还列出了浸没式工艺的要求,如浸出(leaching)和接触角(contactangle)。
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