合肥晶合集成电路股份有限公司在半导体技术领域取得了新的突破，该公司最近申请了一项名为“一种半导体器件的制作方法”的专利，公开号为CN202410458342.1，申请日期为2024年4月。

据专利摘要显示，这一制作方法巧妙地结合了多个关键步骤，旨在提升半导体器件的稳定性和平衡性。首先，在衬底上设定了用于形成PMOS和NMOS晶体管的特定区域。随后，通过在衬底上精确布置伪栅极和介质层，再巧妙地去除伪栅极形成凹部，为后续的金属功函数层铺设了基础。

紧接着，专利中详细描述了如何在介质层、凹部的底部和侧壁上依次形成第一金属功函数层和第二金属功函数层，并对第二区域上的第二金属功函数层进行还原处理，形成还原层，再将其去除。最后，在第一区域的第二金属功函数层上以及第二区域的第一金属功函数层上形成金属导电层。

这一复杂的制作方法能够确保半导体器件的稳定性和平衡性得到有效提升，从而在实际应用中表现更为优异。这一成果的取得，不仅展现了晶合集成在半导体技术领域的创新能力，也为整个半导体产业的技术进步贡献了一份力量。