苏州长光华芯光电技术股份有限公司最近申请了一项名为“高功率半导体激光芯片性能评估及结构优化方法”的专利（公开号CN202410534321.3），申请日期为2024年4月。

该专利揭示了一种用于评估和优化高功率半导体激光芯片性能的新方法。根据专利摘要，这项技术包括在待测芯片N面电极上设置窗口，使芯片保持工作状态，使量子阱有源区产生自发辐射，并通过光谱仪获取自发辐射的光谱，以获取量子阱温度的二维分布，并通过CCD相机获取自发辐射成像的图像，以获取量子阱内载流子的二维分布。

这一技术创新使得可以精确调节工作状态下芯片内温度与载流子浓度的分布，操作简便，有效提高了评估结果的准确度。

此举反映了苏州长光华在半导体激光技术领域持续创新的努力，为行业带来了新的技术进展和应用前景。

这项专利的申请标志着苏州长光华在高功率半导体激光芯片领域的重要进展，有望为其在市场竞争中带来显著优势。