三星:HBM芯片未存在发热、功耗过高问题
来源:ictimes 发布时间:2024-05-27
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近日,有关三星电子高带宽存储(HBM)产品未能达到英伟达质量标准的报道引发广泛关注。对此,三星电子坚决否认发热和功耗过高等指控,并重申其产品的质量和可靠性。
三星电子在一份声明中表示,目前正在与全球各大合作伙伴进行HBM供应测试,并强调正与多家公司紧密合作,持续进行技术和性能测试,以确保产品达到最高标准。这一表态显示出三星在提升产品质量方面的坚定决心。
尽管三星在存储半导体领域一直处于领先地位,但在HBM领域略显劣势。今年4月,三星开始量产第五代HBM产品8层HBM3E,并计划在今年第二季度推出业界首款12层HBM3E产品。此举表明三星正加速产品开发,以应对市场需求和竞争压力。
三星电子重申其对产品质量和可靠性的承诺,表示将继续严格测试HBM产品,以提供最佳解决方案。尽管市场分析师对三星能否在短期内缩小与竞争对手差距持谨慎态度,但三星的积极举措无疑为其在HBM市场的未来发展注入了信心。
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