三星的高频宽记忆体（HBM）芯片在英伟达的测试中遭遇挫折，原因指向发热问题。自去年起，三星就一直在努力使HBM3和HBM3E产品通过英伟达的严格测试。

三位消息人士透露，三星最近提交的8层和12层HBM3E芯片在4月份的测试中未能达到英伟达的标准。这一结果引发了业界和投资者的担忧，担心三星可能在与竞争对手SK海力士和美光的竞争中进一步落后。

三星在声明中表示，HBM是一款定制产品，需要根据客户需求进行优化。该公司正与客户紧密合作，以优化其产品。然而，英伟达对此事未予置评。

HBM作为动态随机存取记忆体（DRAM）的一种，通过垂直堆叠芯片以节省空间和降低功耗，特别适用于处理AI应用产生的大量数据。随着AI需求的增长，HBM芯片市场预计今年将实现大幅增长。

分析师指出，三星近期更换半导体部门负责人的决定可能反映了公司对在HBM领域落后地位的担忧。然而，KB证券研究部门主管Jeff Kim表示，虽然市场对三星作为全球最大记忆体芯片制造商寄予厚望，但专业产品如HBM需要一定时间来满足客户的性能要求。

值得注意的是，尽管三星尚未成为英伟达的HBM3供应商，但它已成功向AMD供货，并在今年第一季度通过了AMD MI300系列的验证。