三星HBM3E面临发热与功耗挑战,NVIDIA测试未通过
来源:ictimes 发布时间:2024-05-27 分享至微信
三星电子的高带宽存储器(HBM3E)在进军NVIDIA的人工智能(AI)处理器市场时遭遇挫折。据路透社报道,由于发热和功耗问题,三星的HBM3E产品未能通过NVIDIA的严格测试。
三星在声明中表示,HBM3E是一款定制化产品,需要根据客户需求进行最佳化设计。尽管目前正与客户紧密合作进行产品优化,但针对NVIDIA的具体测试情况,三星未给出具体回应。
NVIDIA在AI应用GPU市场上占据主导地位,其订单对HBM供应商来说具有重要影响。在三星遭遇挫折的同时,竞争对手如SK海力士和美光在HBM市场上表现活跃。美光已宣布其HBM3E产品开始量产,并成功搭载于NVIDIA的GPU中。
分析人士认为,尽管三星在NVIDIA测试中失利,但其在HBM市场的地位并未动摇。三星仍拥有其他重要客户,并计划在未来推出更多优化的HBM产品。
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