三星正面临高频宽存储器（HBM）市场的严峻挑战。知情人士透露，三星的HBM3、HBM3E产品尚未能通过英伟达（Nvidia）的测试，原因是发热和功耗问题。尽管三星对此予以反驳，但业界对其HBM开发进展的担忧不断加剧。
三星电子芯片部门主管的突然变动也加剧了市场的不安。新任主管全永铉将承担增强未来竞争力的重任。这一人事变动被看作是三星重塑内部和外部氛围的举措。
在HBM市场上，三星与SK海力士的竞争愈发激烈。三星的NCF技术与SK海力士的MR-MUF技术各有优劣。有传闻称，三星已考虑采用MUF技术来提高产量。
英伟达作为全球AI应用GPU市场的领导者，其需求对HBM供应商至关重要。目前，SK海力士凭借HBM3E的成功获得了市场领先地位，而三星则面临出货延迟和市占率下滑的风险。
此外，美光虽然在HBM竞争中处于不利地位，但受美国本土采购的推动，其市场份额有望得到提升。三星则需在竞争对手的强势下加快HBM产品的研发和出货。
业界对三星能否通过英伟达测试、是否会改变技术路线等问题保持关注。然而，更紧迫的是，三星如何在2025年前后的HBM4市场上保持竞争力，这将决定其未来的市场地位。
