ictimes消息，清溢光电在5月16日披露了其最新的投资者调研纪要。该纪要详细概述了公司在半导体掩膜版技术方面的显著进展以及生产基地的建设情况。

技术方面，清溢光电已成功实现180nm工艺节点半导体芯片掩膜版的量产，同时完成了150nm工艺节点半导体芯片掩膜版的客户测试认证，并开始小规模量产。此外，公司正全力推进130nm至65nm的PSM和OPC工艺的掩膜版开发，并规划了28nm半导体芯片所需的掩膜版工艺开发。

在生产基地建设方面，清溢光电的高端半导体掩膜版生产基地建设项目已取得重要进展。主要生产设备已下单，且设备交期较之前预计有所缩短，未受到海外限制政策的影响。目前，佛山生产基地项目已进入厂房建设阶段，预计将于2025年第四季度逐步进行设备的迁入，为公司的进一步扩张和技术升级奠定坚实基础。