韩国晶圆代工巨头SK启方半导体（SK keyfoundry）近日宣布，其氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）技术研发已取得重大进展，预计将在2024年底前完成。

氮化镓HEMT技术因其低损失、高效率、可小型化的特点，在快充插头、LED照明、数据中心与储能系统等领域具有广泛应用前景。

SK启方半导体计划基于这一技术，推出多种电压等级的氮化镓HEMT及氮化镓IC产品，以满足不同客户的需求。

此外，SK启方半导体还计划增加碳化矽（SiC）功率半导体的研发，以进一步拓展其功率半导体产品线。该公司正积极筹备高电压BCD制程（bipolar、CMOS、DMOS），致力于成为专业的功率半导体代工业者。

随着功率半导体市场的不断扩大，SK启方半导体的这一技术突破将为其带来更多商机，进一步巩固其在该领域的领先地位。