GF领跑美国成熟制程扩产,获芯片法案金援助力
来源:ictimes 发布时间:2024-05-20 分享至微信

美国芯片法案为本土半导体产业注入新活力,格罗方德(GF)成为首家获得补贴的美系纯晶圆代工厂。


根据美国政府的规划,到2032年,美国半导体全球产能比重将从目前的10%提升至14%,并优先侧重先进制程,辅以成熟制程的本土化制造。


在这一战略指引下,GF凭借其获得的15亿美元芯片法案补贴,以及额外16亿美元的可用贷款,计划在美国纽约州Malta和佛蒙特州Burlington两地扩建新厂,总投资额高达30亿美元。


此次扩产不仅标志着GF对本土制造的坚定承诺,也展现了其应对地缘风险的智慧。GF将引入先进制程技术,并将氮化镓(GaN)等新一代技术应用于电动车、电网等领域,以满足市场需求。


GF的扩产计划与美国政府的半导体战略高度契合,旨在提升本土产能,确保在全球半导体产业中的领先地位。通过芯片法案的资助,GF将加速成熟制程的本土化制造,助力美国扭转半导体下滑趋势。


预计GF的扩产将推动美国本土产能的快速增长,并在全球半导体市场中占据更加重要的地位。GF的成功将为其他企业树立榜样,推动整个半导体产业的繁荣发展。


[ 新闻来源:ictimes,更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议,请联系微信客服specltkj]
存入云盘 收藏
举报
全部评论

暂无评论哦,快来评论一下吧!