近日，碳化硅技术领域取得两大新进展。浙江大学杭州科创中心与乾晶半导体联合实验室成功制备出厚度达100mm的6英寸超厚碳化硅单晶，该单晶采用提拉式物理气相传输法生长，展现了良好的结晶质量和电阻率。

另一方面，南京大学研发出大尺寸碳化硅激光切片技术，有效解决了传统切割技术中的高材料损耗问题，并大幅提升了生产效率。这项技术对于提高碳化硅器件制造技术水平具有重要意义。相比传统线锯技术，激光切片技术能显著减少材料损耗，提高产片率，并且具有更短的切割时间。

碳化硅（SiC）作为一种关键的战略材料，对安全、全球汽车产业和能源产业都至关重要。南京大学研发的这项新技术，针对碳化硅单晶加工过程中的切片性能进行了重要改进，能够有效控制晶片表层裂纹损伤，从而提高后续薄化、抛光的加工水平。

南京大学研发的激光切片设备不仅适用于碳化硅晶锭的切割，还适用于氮化镓、氧化镓、金刚石等材料的激光加工，市场应用前景广阔。