长飞先进武汉基地项目顺利封顶，标志着其进入了投产倒计时。项目地处武汉新城中心片区，由长飞先进半导体（武汉）有限公司出资兴建，总投资预计超过200亿元。这一项目致力于第三代半导体功率器件的研发与生产，涵盖新能源汽车、光伏储能、充电桩、电力电网等领域。建成后，将成为国内最大的SiC功率半导体制造基地，为武汉乃至全国半导体产业发展注入新动力。

项目由中建一局承建，占地面积约22.94万平方米，建筑面积约30.15万平方米，建设周期为578日历天。预计项目达产后，年产能将达到36万片6英寸SiC晶圆及外延、6100万个功率器件模块，为全国最大，有望推动武汉成为国内化合物半导体产业的重要中心。

长飞先进拥有自主知识产权的SiC功率半导体产品设计及制造能力，其产品涵盖从650V到3300V的SiC SBD、SiC MOSFET相关产品。公司技术领先，旗下的1200V Gen3 SiC MOSFET设计及工艺平台已达到国际先进水平。

值得一提的是，长飞先进还积极开展合作。去年10月，公司与奇瑞汽车合作成立汽车芯片联合实验室，未来将在车规级芯片及其汽车应用技术、市场开发等方面展开广泛合作。此外，公司还计划与安徽省内新能源产业深化合作，共同打造SiC产业生态圈。

长飞先进武汉基地项目的提前封顶，标志着中国在半导体领域取得了重要进展，为技术创新和产业升级注入了新动力，有望助推国内半导体产业跃上新的高度。