科友半导体近日宣布取得一项重要突破，成功制备出多颗中心厚度超过80mm、薄点厚度超过60mm的导电型6英寸SiC单晶。这是国内首次报道和展示厚度超过60mm的SiC原生锭毛坯，厚度是目前业内主流晶体厚度的3倍，单片成本较原来降低70%，并且企业盈利能力翻了三倍。
科友半导体采用物理气相传输法和溶液法相结合的方法，利用自主研发的电阻炉成功制备出表面光滑、无明显缺陷的大厚度SiC单晶。这一突破标志着科友半导体在大厚度SiC单晶生长领域取得关键技术突破，为大尺寸SiC衬底低成本量产迈出了坚实的一步。
科友半导体自主研发高端装备，致力于提高衬底品质与良率，推动衬底成本下降。目前，其在SiC衬底市场已经处于领先地位，而与俄罗斯N公司的战略合作更将加速科友半导体在SiC领域的技术创新和产能释放。
随着技术的不断进步和产能的逐步释放，科友半导体在SiC衬底市场的市场份额和影响力有望进一步提升。这将为中国的半导体产业注入新的活力，推动产业向高端化、智能化方向迈进。
