安森美:第二代1200V SiC MOSFET全面升级!
来源:ictimes 发布时间:2024-04-10 分享至微信

碳化硅(SiC)功率器件的不断演进已经成为能源基础设施领域的重要推动力之一,特别是在太阳能、储能、UPS和电动汽车充电系统等领域。安森美(ON Semiconductor)发布的第二代1200V碳化硅(SiC)MOSFET,命名为M3S,致力于提高开关性能,并针对工业电源系统中的高功率应用进行了优化。


与第一代1200V碳化硅MOSFET相比,M3S系列在多个方面实现了显著性能提升。首先,针对开关应用进行了优化,具有更低的导通损耗和更高的开关频率,有助于提高系统效率并减小无源元件尺寸。其次,M3S的阈值电压(VGS(TH))温度依赖性更好,能够提供更稳定的性能。此外,推荐的工作栅极电压(VGS(OP))更低,减轻了栅极驱动的负担。总栅极电荷(QG(TOT))和COSS中的存储能量(EOSS)也得到了优化,使得在系统轻负载时能够提供更高的效率。


此外,M3S的体二极管具有更快的反向恢复时间和更低的反向恢复电荷,使其在桥式拓扑中表现更出色。在高频应用中,M3S的体二极管导通开关损耗显著降低,有助于提高系统效率。


总的来说,安森美的M3S系列碳化硅MOSFET在提供更高性能、更稳定的特性的同时,为工程师们在设计高功率应用时提供了更好的选择。随着碳化硅技术的不断发展,相信这样的创新将进一步推动能源基础设施的升级与发展。


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