安森美:SiC营收翻倍增长,计划推出多代沟槽MOSFET
来源:ictimes 发布时间:2024-09-09 分享至微信
安森美在2024年第二季度财报会议上宣布,公司在SiC(碳化硅)市场保持主导地位,为中国近60%的碳化硅车型提供SiC产品,并预计今年的SiC营收将增长超过市场增速的两倍。
在全球电气化趋势的推动下,安森美的SiC业务在2023年实现了超过4倍的增长,并预计在2024年将再次翻倍。
安森美的SiC技术已被多家企业应用于数据中心、充电桩和光储等领域。公司推出了最新一代EliteSiC MOSFET——M3e,该产品在平面架构上实现了传导和开关损耗的显著降低,导通损耗降低了30%,关断损耗降低高达50%。
此外,安森美计划在2030年之前推出多款新的EliteSiC产品,并从第四代开始全面转向沟槽栅SiC MOSFET。
为降低成本,安森美正通过技术创新和增加碳化硅晶圆直径来提高生产效率。公司正在开发8英寸晶圆技术,并可能在明年开始过渡到8英寸晶圆生产,具体时间将根据市场需求决定。安森美的这些举措旨在保持其在SiC市场的领先地位,并为全球电气化提供高效、可靠的能源解决方案。
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