Demo展示 | 用于 12 V 高电流电路保护应用的 LFPAK88 MOSFET
来源:安世半导体 发布时间:2023-03-16 分享至微信
12 V 汽车电路的行业趋势是:放弃使用传统保险丝作为电路保护手段,而是使用 MOSFET 取代传统保险丝。这种变化能够带来许多好处,例如可复位电路保护、维护成本更低、降低电池耗电量等。
本视频演示了 Nexperia LFPAK MOSFET 如何在采用 3 kW DC/DC 转换器的 12 V 开关保护电路中工作,帮助您了解其取代传统保险丝时应注意的设计考虑因素。
👆点击以上视频了解更多详情。
本演示使用来自我们 8x8mm LFPAK88 产品组合的汽车功率 MOSFET,器件的 RDS(on)超低,为 0.55 mohm,测量的高电流额定值高达 500 A。
对于更紧凑的系统,与 D2PAK 替代产品相比,增强的 LFPAK56E 封装提供 81% 的空间节省。
得益于创新的铜夹片封装技术,Nexperia(安世半导体)的汽车 LFPAK MOSFET 系列提供许多优势,其中包括但不限于:低 RDS(on)、低封装阻抗、低热阻和出色的 SOA 性能。
对于 LFPAK88,经过测试的高电流额定值高达 500 A,而在 LFPAK56E 中,高达 220 A。
对于需要高功率且空间受限的系统,Nexperia(安世半导体)还提供微型化优势。与 D2PAK 替代产品相比,LFPAK88 的功率密度,提高超过 50%,空间效率提高 60%。
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