瑞萨电子推出新款100V高功率N通道MOSFET，适用于电动车、充电站、数据中心等应用，提供领先的大电流切换效能。采用新制程REXFET-1，导通电阻降低30%，功耗损失减少。Qg和Qgd特性分别降低10%和40%。

新款RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF MOSFET采用业界标准TOLL和TOLG封装，兼容其他制造商产品，体积比传统封装小50%。TOLL封装提供光学检测功能。

瑞萨电子离散功率解决方案事业部副总裁Avi Kashyap表示，瑞萨是MOSFET市场领导者，凭借制造实力为客户提供卓越产品和稳定供应。

瑞萨将新款MOSFET与众多兼容元件结合，提供超过400种成功产品组合，包括48V移动平台和电动车单元，助力客户加快设计流程和市场上市时间。