• 创新式半桥（高边和低边）系列汽车MOSFET采用节省空间的LFPAK56D封装技术。这种新封装提供了一种单器件半桥解决方案。与用于三相电机控制拓扑的普通双通道MOSFET相比，由于简化了PCB的布线，其占用的PCB面积减少30%，寄生电感减少60%。符合AEC-Q101标准的Nexperia LFPAK56D半桥封装产品适合各类三相汽车动力系统应用，例如燃油泵、水泵、电机控制和DC/DC电源转换，适用于高性能开关应用。

• 基于硅技术的PESD2ETH1G-T是完全按照IEEE/开放技术联盟100BASE-T1和1000BASE-T1以太网规范设计的。它经过FTZ的官方测试，能够最大限度地达到规范要求。硅基ESD保护器件提供了ESD保护与信号完整性的平衡。这些器件能够显著地使抗ESD冲击能力达到更高性能水平，最高可达到30 kV的系统级抗冲击能力，并且在0V时最大2 pF的电容值不会影响信号完整性。此外，由于触发电压大于或等于100 V时的回弹特性和非常低的40 V钳位电压，PESD2ETH1G-T可提供最佳的系统级保护。该器件采用SOT23标准封装，可保护双通道线路。