基础半导体元器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）今天宣布推出业内首批 A-selection 齐纳二极管。BZT52H-A(SOD123F) 和 BZX384-A(SOD323) 系列的容差仅有 ±1%，相比 B(±2%) 和 C(±5%) 版本，可提供更高精度的基准电压。这两个系列不仅可以满足日渐增长的移动便携式和可穿戴应用、汽车和工业应用的需求及监管要求，也可以支持 Q 产品组合器件。
Nexperia 产品经理 Paula Stümer 介绍：
Nexperia 的 A-selection 齐纳二极管涵盖从 1.8 V 至 75 V 的各种应用，提供高精度、低容差基准电压，如果向栅极-源极路径或漏极-栅极路径施加极限电压，或从更多种类的合适的 MOSFET 中进行选择，用具有焊盘兼容性的 A-selection 齐纳二极管代替 B- 或 C-selection，工程师可以将 MOSFET 的性能发挥到极致。
A-selection 齐纳二极管的正常工作电压范围为 1.8 V 至 75 V（E24范围）。这些器件的非重复反向峰值功耗 ≤40W，总功耗 ≤250mW，差分热阻低。低容差可提供更高精度的电压，对应用的测试与测量尤其关键，可帮助工程师取代成本更高的电压基准器件。相比直接保护 MOSFET，另一种替代方案更为经济，即将漏极-栅极路径与齐纳二极管并联。齐纳二极管被击穿后， MOSFET 随即导通，防止漏极-源极发生雪崩击穿。
A-selection 齐纳二极管还可用于 Q 产品组合器件，符合 AEC-Q101 和 ISO/TS16949 汽车质量标准。这些标准的重点是满足汽车原始设备制造商的压力测试资格，以及质量管理体系的要求。与此同时，客户的需求不断发展，越来越多的非汽车应用需要额外的质量相关服务，例如生产零件批准过程(PPAP)和更长的供货计划。此类标准器件和 Q 产品组合器件的另一个不同之处是产品变更通知(PCN)的期限，根据 JEDEC 的要求，期限从 90 天延长至 180 天。此外，所有部件的供货计划至少为 10 年，保质期超过两年。
Nexperia 继续在技术和内部产能方面加大投入。A-selection 齐纳二极管现可提供样品，并已投入大批量生产。
关于 A-selection 齐纳二极管的更多信息，包括产品规范和数据手册，请访问「阅读原文」。
Nexperia (安世半导体)
Nexperia（安世半导体），作为半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD 保护器件、MOSFET 器件、氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 以及模拟 IC 和逻辑 IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年可交付 1000 多亿件产品，产品符合汽车行业的严苛标准。其产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面获得行业广泛认可，拥有先进的小尺寸封装技术，可有效节省功耗及空间。
凭借几十年来的专业经验，Nexperia（安世半导体）持续不断地为全球各地的优质企业提供高效的产品及服务，并在亚洲、欧洲和美国拥有超过12,000名员工。Nexperia（安世半导体）是闻泰科技股份有限公司 (600745.SS) 的子公司，拥有庞大的知识产权组合，并获得了 IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001 和 OHSAS 18001 认证。
Nexperia：效率致胜。
