SiC刻蚀环是半导体材料在等离子刻蚀环节中的关键耗材，在半导体芯片产业链上是一种不可或缺的重要材料。SiC刻蚀环对纯度要求极高，因此只能采用CVD工艺进行生长SiC厚层块体，随后经精密加工而制得，主要用于半导体刻蚀工艺的制备环节。长期以来，围绕半导体及其配套材料的发展一直是我国生产制造中的薄弱环节，但因其技术壁垒高，长期被美、日、德等国所垄断，一直是被“卡脖子”的关键材料之一。

湖南德智新材料有限公司董事长柴攀表示，此次半导体用碳化硅蚀刻环项目，总投资约2.5亿元，主要用于半导体用碳化硅蚀刻环的研发、制造，投产后年产值超1亿元。

2018年，德智新材落户动力谷自主创新园。随后，其自主设计的国内最大化学气相沉积设备完成调试投入使用。这个设备能在高温、高真空环境下合成镜面纳米碳化硅涂层。目前，“德智新材”成为国内最大单晶太阳能生产企业——隆基股份等龙头企业的供货商，并与吉林大学、中南大学等知名高校建立长期合作关系。

“该项目对于国内外的该产品领域来说，都有着一定的前瞻性和拓展性。”业内人士分析认为，此项目技术含量高、成长能力强、经济效益好，对突破国外的技术封锁，进一步推动国内半导体产业转型升级、壮大株洲经济规模具有十分重大的意义。

【来源：天元区人民政府-新区动态】