
2022年5月热点资讯汇编
【新品发布】
1.日立能源发布1200V RoadPak半桥SiC模块,已平稳上车运行
日立能源近期在5月10日-12 日在德国纽伦堡的 PCIM Europe 推出其用于电动汽车的 RoadPak 功率半导体模块。日立表示,这款紧凑型模块采用先进的碳化硅(SiC)芯片,以达到高水平的功率密度,进而帮助实现更快的充电速度,确保车辆全生命周期内的可靠性,以及尽可能地降低功耗并延长行驶里程。
5月23日,国产碳化硅器件设计公司芯塔电子在官网发布了芯塔电子1200V SiC MOSFET应用测试情况,同时表示SiC 1200V 80-40mΩ MOSFET器件已经给国内的重要客户进行了送样和销售,包括军工、新能源汽车、充电桩等领域,同时也已获得众多客户的咨询和明确需求。
近日 ,UnitedSiC宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 系列,该系列具有出色的导通电阻特性。全新UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常适用于主流的 800V 总线架构,这种架构常见于电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC/DC 太阳能逆变器、焊接机、不间断电源和感应加热等应用。
4.英飞凌推出基于1700 V TRENCHSTOP™ IGBT7芯片的EconoDUAL™ 3模块
5.纳微半导体发布新产品NV6169,功率提升50%
面对传统技术的发展瓶颈,近日,浙江大学杭州国际科创中心(简称科创中心)在首席科学家杨德仁院士的带领下,科创中心先进半导体研究院发明了全新的熔体法技术路线来研制氧化镓体块单晶以及晶圆,目前已经成功制备直径2英寸(50.8 mm)的氧化镓晶圆,使用这种具有完全自主知识产权技术生长的2英寸氧化镓晶圆在国际内尚属首次。经检测,科创中心采用新技术路线研制出的这批氧化镓晶圆的导电类型为半绝缘型,直径尺寸达到50.8±0.5 mm,表面粗糙度小于0.5 nm,光学透过率良好,高分辨X射线摇摆曲线测试半高宽小于100 弧秒,衍射峰均匀对称,单晶质量较好,关键技术指标已达领域内的先进水平。
【投资扩产】
1.10亿第三代半导体项目落地重庆
2.新增投资超260亿,积塔半导体明确临港投资二期项目
据新华社报道,目前,上海积塔半导体已经明确将在上海临港投资二期项目,新增固定资产投资预计超过260亿元。2017年,积塔半导体特色工艺生产线项目签约落户上海临港,项目总投资359亿元,于2018年8月开工建设,并于2020年初正式投片。根据规划,该项目目标是建设月产能6万片的8英寸生产线和5万片的12英寸特色工艺生产线。
3.投40亿元建SiC充电桩广州将成“超充之都”
4.近亿元!氮化镓芯片企业镓未来完成A+融资
5.加码第三代半导体等,元旭半导体完成C轮数亿元融资
6.联电积极布局8英寸第三代半导体制造,大举购置新机台
【企业/科研院所动态】
1.台积电重兵抢进第三代半导体
5月17日上午,南沙新区2022年第二季度重大项目集中签约暨广东芯粤能碳化硅芯片制造项目主体工程封顶活动隆重举行。南沙芯粤能碳化硅制造项目主体工程封顶仪式顺利举行,广东芯粤能半导体有限公司位于广州市南沙自贸区,是一家面向车规级和工控领域的碳化硅芯片制造和研发企业,产品主要包括碳化硅SBD/JBS、MOSFET、IGBT等功率器件,主要应用于新能源汽车、工业电源、智能电网以及光伏发电等领域,是目前国内最大的专注于车规级碳化硅芯片制造的企业,分别被广州市和南沙区列为重点建设项目。
5月26日,在北方华创2021年度业绩说明会上,北方华创董事、执行委员会副主席、总裁陶海虹称,公司目前碳化硅长晶设备订单饱满,预计今年出货将超500台,已成为国内主流客户的首选。同时,今日华创在投资者平台上回复提问,并表示公司8吋碳化硅长晶炉已完成研发,并进入客户端。
5月23日, 昭和电工(SDK)提出的“8英寸SiC晶圆技术开发计划”被日本新能源和工业技术开发组织(NEDO)选定为“绿色创新基金项目”。而就在今年3月,昭和电工刚刚宣布正式量产直径6英寸(150mm)的碳化硅晶圆。作为独立的SiC外延片供应商,SDK为功率器件制造商提供Best in Class SiC外延片,全球市场占有率领先。在该项目中,SDK计划利用其知识产权组合和开发专长,开发直径为8英寸的SiC外延片,并将缺陷密度降低至少一个数量级,从而降低下一代电源的生产成本半导体。
瑞士日内瓦的 STMicroelectronics 和美国马萨诸塞州 Lowell 的 MACOM Technology Solutions Inc(设计和制造模拟射频、微波、毫米波和光子半导体、组件和子组件)宣布,已经生产射频硅基氮化镓( RF GaN-on-Si) 原型。据估计,意法半导体制造的原型晶圆和器件已经实现了成本和性能目标,这将使它们能够有效地与市场上现有的 LDMOS 和 GaN-on-SiC 技术竞争。这些原型现在正转向鉴定和工业化。意法半导体的目标是在 2022 年实现这些里程碑。随着这一进展,意法半导体和 MACOM 已经开始讨论进一步扩大他们的努力,以加快向市场交付 RF GaN-on-Si 产品的速度。
8.韩国厂商成功开发红色InGaN外延,提升Micro LED性能
韩媒3日报道显示,韩国GaN技术开发商Soft-EPi于2日宣布成功开发并发布红色GaN外延片,可提升Micro LED的性能。据说,这在韩国是首次。Soft-EPi指出,由于技术难度高,目前全球仅4-5家企业能够生产GaN基红光LED。但因为GaN基红光外延片领域的制造商与Meta、Google等品牌厂商签订了独家合作协议,且在研发方面困难重重,Micro LED开发商无法获得GaN基红光外延片。而Soft-EPi已成功将红光和绿光LED集成在同一晶圆上,并计划在今年内集成及展示蓝光LED。接下来,Soft-EPi计划向有意向采购的Micro LED开发商供应这款产品。
9.日本巨头信越化学宣布大幅扩产第三代半导体材料
5月18日,日本半导体材料巨头信越化学宣布他们将加速氮化镓(GaN)外延生长衬底及其相关产品的商业化。信越表示,他们在2019年与美国Qromis公司开展了第一次合作,双方就制造 GaN 衬底材料签订了专利许可协议。信越负责生产氮化镓衬底和氮化镓同质外延片。而在信越此次的扩产中,它将与美国Qromis公司展开进一步的深入合作,通过改进其专有技术,提升6英寸和8英寸的氮化镓衬底生产能力,计划实现产量翻倍,以满足市场快速增长的需求。
10.官宣!法国标致汽车采用碳化硅
5月16日,Marelli官网宣布,他们将为Peugeot Sports(标致运动)的9X8超级跑车提供基于碳化硅逆变器的工程设计和供应等。Marelli是意大利设备制造商,2018年被日本Calsonic Kansei收购。此次Marelli标致与合作,Calsonic将提供高性能电动机和基于碳化硅的逆变器,而开发的重点是最大限度地提高系统的效率和可靠性。
11.中国科大龙世兵教授课题组在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展
近日,中国科大微电子学院龙世兵教授课题组两篇论文入选第34届功率半导体器件和集成电路国际会议,该课题组基于NiO生长工艺和异质PN的前期研究基础(Weibing Hao, et.al., Applied Physics Letters, 118, 043501, 2021),设计了结终端扩展结构(Junction Termination Extension, JTE),并优化退火工艺,成功制备出耐高压且耐高温的氧化镓异质结二极管。
【政策】
1.国家第三代半导体技术创新中心分中心落地太原
近日,国家第三代半导体技术创新中心(山西)推进会在太原第一实验室召开,山西省政府、太原市政府、长治市政府、以及中北大学、中科潞安、中电科二等共建单位参加会议。据悉,科技部围绕国家重大区域发展战略部署,在全国布局国家第三代半导体技术创新中心深圳、南京、苏州、北京、山西、湖南6个分中心,山西平台作为国创中心六大平台的重要一环,对建立健全国家半导体技术创新体系,推动山西省半导体产业发展具有重要作用。
2.长沙新政:大力发展功率半导体
3.厦门光电半导体产业正加速向第三代半导体等未来产业转型升级
据厦门日报消息,从日前陆续出炉的一季度数据看,厦门市部分光电半导体企业继去年实现稳增长后,一季度业绩持续亮眼,且在保持主业优势的同时,纷纷向新领域开拓。当下厦门市光电半导体产业正加速向新型显示、第三代半导体等未来产业转型升级,向智慧照明、Mini/Micro LED、电力电子半导体和射频半导体等方向迅速发展。成为国家电子信息·显示产业的新型工业化基地、国家半导体照明工程高新技术产业化基地、国家节能灯外贸转型升级示范基地等国家产业示范基地的排头兵和骨干力量。
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