大阳日酸首台氧化镓MOCVD设备落地!
来源:宽禁带半导体技术创新联盟 发布时间:2022-04-21 分享至微信
4月20日,日本最大工业气体制造商大阳日酸(Nippon Sanso Corp,TNSC)宣布,首台氧化镓(Ga2O3)MOCVD设备已在东京农工大学(Tokyo University of Agriculture and Technology)Yoshinao Kumagai教授的实验室安装落地,并通过验证。
FR2000-OX,Source:太阳日酸
Reactor Chamber,Source:太阳日酸
大阳日酸指出,β-Ga2O3作为下一代高效功率器件的半导体材料之一,正备受关注,而公司自2020年10月起便开始与东京农工大学展开合作,共同致力于采用MOCVD设备生长β-Ga2O3薄膜,随后于2021年3月宣布在MOCVD设备上成功生长β-Ga2O3。
大阳日酸表示,最新设计的氧化镓MOCVD设备(型号为FR2000-OX)拥有1x2英寸晶圆的加工能力,能够帮助制备复杂的器件结构,并进一步推动相关材料的研发。该设备包含一个MOCVD生长腔,可用于在β-Ga2O3 衬底上快速生长高纯度的氧化物,以满足厚膜及合金的生长需求,而这些材料可用于研究高性能电子器件。
下一步,大阳日酸将继续提升氧化镓MOCVD设备技术,实现更高效的半导体技术。
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