4月20日，日本最大工业气体制造商大阳日酸（Nippon Sanso Corp，TNSC）宣布，首台氧化镓（Ga2O3）MOCVD设备已在东京农工大学（Tokyo University of Agriculture and Technology）Yoshinao Kumagai教授的实验室安装落地，并通过验证。

FR2000-OX，Source：太阳日酸

Reactor Chamber，Source：太阳日酸

大阳日酸指出，β-Ga2O3作为下一代高效功率器件的半导体材料之一，正备受关注，而公司自2020年10月起便开始与东京农工大学展开合作，共同致力于采用MOCVD设备生长β-Ga2O3薄膜，随后于2021年3月宣布在MOCVD设备上成功生长β-Ga2O3。

大阳日酸表示，最新设计的氧化镓MOCVD设备（型号为FR2000-OX）拥有1x2英寸晶圆的加工能力，能够帮助制备复杂的器件结构，并进一步推动相关材料的研发。该设备包含一个MOCVD生长腔，可用于在β-Ga2O3 衬底上快速生长高纯度的氧化物，以满足厚膜及合金的生长需求，而这些材料可用于研究高性能电子器件。

下一步，大阳日酸将继续提升氧化镓MOCVD设备技术，实现更高效的半导体技术。