作为国内GaN龙头企业，英诺赛科今年全面加速全球业务拓展的步伐，继正式开启国际业务，完成30亿元的D轮融资之后，近日又两大动作，从产品、市场等方面推进其GaN市场全球化扩张之旅。

近日，英诺赛科参加了在德国举办的PCIM展会。据化合物半导体市场了解，英诺赛科展出了一款65W ACF（Active Clamp Flyback）参考设计解决方案，功率密度为30W/in3。

据介绍，65W ACF参考设计结合了英诺赛科的INN650D240A650V硅基GaN增强型场效应晶体管。产品尺寸为34 x34.5 x 30.5mm，输入电压为90V-265V，USB-PD输出电压及电流配置覆盖5V/3A、9V/3A、15V/3A、20V/3.25A。据说，在230V电压下，该参考设计的效率可达94%以上，无负载功耗低于25mW。

英诺赛科美国总经理表示，ACF拓扑结构基于更快的开关速度和效率以及更小的器件尺寸，能够满足高性能、低功耗的市场需求，同时最大程度缩小电源尺寸、降低重量，而英诺赛科GaN FETs将赋能这些应用。据悉，英诺赛科不久后还将推出高功率多端口参考设计方案。

据外媒报道，英诺赛科与台湾地区两大半导体经销商之一——大联大控股（WPG Holdings）签订了全球经销协议，将更全面地为全球客户提供高压、低压增强型场效应晶体管GaN HEMTs产品。

大联大控股表示，英诺赛科是全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆制造商，月产能达10000片，到2025年之前预计可达70000片/月，而GaN将在消费电子、通讯、汽车及工业等应用市场迎来爆发性成长，此时正是英诺赛科签署全球特许经营协议的合适时机，双方将达成共赢。

英诺赛科欧洲总经理则表示，公司在GaN领域的布局不仅限于扩充产能，经销也是计划中的一部分，而全球最大的半导体经销商大联大控股将成为其首个全球供应链合作伙伴，助力将英诺赛科的GaN产品推向全球市场，并共同推动GaN的应用延展至更多终端市场。