英诺赛科最近宣布推出了其VGaN系列的新成员——30V的INV030FQ012A。这款新产品的推出进一步拓宽了VGaN产品的电压范围，使其能够满足更广泛的应用需求。

INV030FQ012A采用FCQFN 4mm*6mm封装，体积小巧，便于集成到各种电路设计中。该产品能够替代传统方案中两颗共漏连接的背靠背NMOS，有效减少占板面积，支持系统板的小型化。主要应用于过流保护和负载开关等场景，INV030FQ012A的超低导通电阻和宽SOA（安全工作区）特性，使其在应用中展现出低损耗和耐短路冲击的优势，提升电路性能，增强系统稳定性和可靠性。

英诺赛科表示，INV030FQ012A的推出将为客户提供更多样化的选择，满足不同应用场景的需求。公司将继续致力于VGaN产品的研发和创新，为行业带来更多优质产品和技术解决方案，推动行业发展。