在氮化镓（GaN）这一前沿半导体技术的专利争夺战中，美国宜普公司（EPC）取得了胜利。

近日，美国国际贸易委员会（ITC）正式确认了其初步裁定，认定中国英诺赛科公司（Innoscience）侵犯了EPC的核心氮化镓技术专利，并禁止英诺赛科在未获得授权的情况下将相关产品进口至美国。

这场专利战始于2023年5月，EPC向ITC提起诉讼，指控英诺赛科未经许可使用了其专利技术。经过一系列复杂的法律程序，ITC最终做出了有利于EPC的裁决。

尽管英诺赛科向美国专利商标局（USPTO）提出了对EPC四项专利的无效申请，但目前仅有一项被判定为侵权，且该裁决已得到ITC的正式确认。

这一裁决结果将对全球半导体产业的竞争格局和发展趋势产生深远影响。