针对充电桩、UPS不间断电源等工业类领域，对标国内外行业龙头，国星光电最新推出的SiC功率模块产品包括有NS34m、NS62m、NSECO以及NSEAS系列的封装，拓扑结构涵盖半桥、全桥、三相桥以及CIB，模块规格覆盖1200V电压等级，20A-80A的电流范围，可依据市场电路系统的输入输出要求和成本等因素的考量，选择不同拓扑结构的功率模块，并快速进行应用替换。

瞄准快充市场，国星光电最新推出E-mode的 650V/10A GaN-DFN5*6 GaN器件，BVds>650V，Rdson<150mΩ，性能稳定达到行业器件水平；器件可适用市面上100W以下的充电头的应用。

国星光电对SiC功率分立器件产品进行优化升级，完成了TO-247、TO-220、TO-252、TO-263、DFN5*6五种优势封装结构的开发。该产品以TO系列为主，目前已建立主流650V系列与1200V系列SiC MOSFET和SiC SBD两个产品系列，可应用于光伏逆变、工业电源、新能源汽车、充电桩、轨道交通及智能电网等领域的电力转换装置。其中1200V 40A SiC MOSFET，Vth开启电压低于2.0V，Rdson开通损耗小于50mΩ。

为满足终端应用市场的需求，国星光电全力加码对第三代半导体的布局，目前已形成以SiC和GaN为主营业务的第三代半导体产品系列，包括SiC功率分立器件、SiC功率模块、GaN器件。其中，SiC模块及GaN器件新品集生产、测试、可靠性验证测试一体的实验线已投入生产运作，可迅速对接客户个性化的需求；SiC功率分立器件产品已完成了多项可靠性验证与具体应用端实测工况的评估，产线已投入使用，并完成了多个合作商的试产订单。

在应用升级和政策驱动的双重带动下，第三代半导体产业一直是备受关注的重要发展方向。国星光电立足市场，聚焦领域热点，不断丰富产品线路，计划于今年推出超薄型SiC内绝缘系列分立器件，产品的耐压能力、散热能力等将得到进一步的提升，可更好地满足客户对器件内部绝缘的严苛需求。另一方面，国星光电也将于今年陆续推出E-mode的650V/15A，Cascode的650V/12A等不同型号的GaN器件产品，为客户提供定制化技术解决方案，进一步满足客户多样化的需求。

抢抓“十四五”发展新机遇，接下来，国星光电将持续加大第三代半导体的研究开发和技术成果转化，努力打造具备高可靠性、高品质优势的“三代半功率器件封测企业”！