晶州装备|湿制程工艺设备即将批量进入客户LTPO新型显示产线
来源:cinno 发布时间:2021-10-30 分享至微信
近日,晶洲装备收到某平板显示大客户LTPO新型显示产线批量订单。2021年下半年订单预期积极,本年度上半年晶洲湿制程工艺设备已交付逾数十台(套)。


LTPO 英文全称为 Low Temperature Polycrystalline Oxide,中文名低温多晶氧化物,是OLED屏幕上TFT背板的一种技术解决方案,被称为下一代屏幕材料。


一加9系列成为首批采用LTPO技术的国产手机之一


此次客户将LTPO新型技术产线的量产设备订单交给晶洲,既是对晶洲多年来坚持自主研发路线,推进湿制程装备国产化成果的肯定,也是对晶洲在新型显示技术方面钻研探索、开拓创新能力的高度认可。


十年来,晶洲围绕湿制程核心技术,在泛半导体行业深耕厚植,开拓部署,攻克了众多“卡脖子”技术。从清洗到显影、刻蚀、剥离、蒸镀的一系列平板显示领域主工艺设备成功交付终端,已交付量产设备基板尺寸涵盖G2.5~G8.6,并储备了G10.5以上尺寸设备的技术能力,全面打破了国外进口设备商对平板显示领域Array、OLED、Cell、CF等前中段主工艺设备的垄断。



打破垄断,追平主流仅是开始,突破桎梏,开拓创新才能勇立潮头。近三年来,为了把握时代机遇,晶洲装备在HIAA、LTPO、Mini BLU等潮流前沿的新型显示技术方面钻研探索、抢占潮头,取得了一系列的突破及成果。截止目前,晶洲湿制程工艺装备已成功应用于包括荣耀、小米、中兴等旗舰机智慧显示屏幕解决方案中。




那么,具体什么是LTPO?


目前OLED的主要两大背板技术是LTPS和IGZO,LTPS是目前最成熟、应用最广泛的小尺寸OLED基板技术,其具备较高的载流子迁移率,可以有效减小电路尺寸,实现较高的分辨率和较低的驱动电压,能够较好应对高刷新率场景。但其漏电流较大,信号保持时间短,难以应对低刷新率场景。


而IGZO是另一种可以用于OLED的基板技术,漏电流比LTPS低几个数量级,信号保持时间较长,但电子迁移率相对LTPS要低,且氧化物半导体本身稳定性稍显不足,因此在小尺寸OLED上应用不及LTPS广泛。


TFT种类

a-Si

IGZO

LTPS

载流子迁移率

cm2/(V·s)

0.5~1

10~25

>100

漏电流

A/μm

<10-13

<10-16

<10-12

开关电流比率

106

107

>109

三种传统OLED TFT技术的对比


LTPO结合了这两种技术的优点,以低生产成本实现更高的电荷迁移率,稳定性和可扩展性。既然单独的LTPS和IGZO在高载流子迁移率和低漏电流之间不能兼顾,那么使用LTPS制作驱动电路,使驱动电路TFT具有较小的尺寸和较低的驱动电压,使用IGZO制作像素信号输入开关电路,以其较低的漏电流使像素信号能保持较长时间,则可以规避单独LTPS和IGZO TFT的缺点,发挥二者的优点,简单的说就是在同一个像素中集成了 LTPS 和 Oxide 两种 TFT器件,Oxide 是底栅结构,LTPS 是顶栅结构。这种新工艺结合了 LTPS TFT 工艺驱动能力强和 Oxde TFT 工艺漏电小功耗低的优点,由于电路中既有LTPS也有IGZO,LTPO器件结构和工艺复杂度均明显增加,也增加了成本。


顶栅型LTPO:先制作LTPS TFT后制作Oxide TFT,两种TFT独立性较高,便于分别调试


底栅型LTPO:OxideTFT栅极绝缘层与LTPS TFT的ILD层共用,简化工艺流程,但二者会相互影响,增加工艺调试难度,或也可制作共面的顶栅结构


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