2021年9月17日,英飞凌位于奥地利菲拉赫的全新全自动300毫米薄晶圆芯片工厂将正式投入生产。即日起,英飞凌将为全球市场提供更多的高端功率半导体产品,让生活更便利、安全和环保。
菲拉赫新工厂的建设项目开始于2018年11月。项目总投资超过16亿欧元,用于功率半导体的全自动生产和研发大楼综合体建设。该项目有效扩充了全球需求量很大的高能效芯片的产能,为达成气候目标和实现能源转型做出重要贡献。该项目是目前欧洲大陆半导体行业重量级的投资,同时也体现了欧洲对于可持续发展的重视。该工厂建成后,将与英飞凌的德累斯顿工厂合体,形成一座高效率300毫米功率半导体一体化虚拟工厂(“One Virtual Fab”)。
2021年3月1日,
第一批晶圆步进器的部件被运进洁净室区域。
一座芯片工厂的诞生
凝结的是英飞凌人的坚韧
在将近1200天里,超过900人在菲拉赫厂区奋战——在新冠疫情的困难环境中顺利完成了新工厂的建设。那么,这座全新的、完全自动化的300毫米薄晶圆芯片生产工厂和研发中心是怎样建造起来的呢?
英飞凌首席执行官Reinhard Ploss博士
“新工厂是英飞凌发展史上的又一重要里程碑,其启动运营对于我们的客户来说也是重大利好消息。由于全球对功率半导体器件的需求不断增长,当前正是新增产能的最好时机。过去几个月的市场形势已经清楚地表明,微电子技术至关重要,几乎涵盖了生活的各个领域。随着数字化和电气化进程的加快,我们预计未来几年全球对功率半导体器件的需求将持续增长。新增产能将帮助我们更好地为全球客户提供长期的优质服务。”
高能效芯片助力打造绿色环保产品
多年来,英飞凌的产品一直在为提高能源效率乃至气候保护做出贡献。作为英飞凌全球功率半导体的专业核心,菲拉赫工厂在这些解决方案中发挥着重要作用。这些高能效芯片可以智能地控制电源开关,可以显著降低诸如家用电器、LED照明设备和移动设备等众多应用的能耗,从而最大限度地减少碳排放。例如,现代半导体器件能够将冰箱的能耗降低40%,将建筑照明的能耗降低25%。得益于菲拉赫工厂的产品组合,采用新生产设施所生产的产品能够减少超过 1300 万吨的二氧化碳排放。这相当于欧洲 2000 多万居民产生的二氧化碳量。
高效节能的工厂
在菲拉赫工厂的建设过程中,英飞凌特别注意进一步改善能源使用状况:通过冷却系统的废热智能回收利用,能够满足工厂80%的供暖需求,每年减少约2万吨二氧化碳排放。另外,废气净化系统的广泛使用,让直接排放几乎为零。
在可持续生产和循环经济方面的另一重要里程碑,是绿氢的生产和回收。自2022年初开始,生产过程中所需的氢气将直接在菲拉赫工厂利用可再生能源来制备,从而消除原生产和运输环节中的二氧化碳排放。绿氢在用于芯片生产后将被回收,为公交巴士提供动力。这一双重使用绿氢的项目在欧洲是独一无二的。通过这些举措,菲拉赫新厂正在发挥重要作用,大力推动英飞凌在2030年实现碳中和目标。
高度现代化的芯片工厂将欧洲的两个生产基地连接在一起,形成了一个巨型工厂。新工厂的总占地面积约为6万平方米,产能将在未来4到5年内逐步提升。工厂运营所需的400名高素质专业人士中,有三分之二已经到岗。
该工厂是世界上最现代化的芯片工厂之一,依靠的是全自动和数字化。作为“学习型工厂”(learning factory), 人工智能解决方案将广泛用于预测性维护。联网化的工厂将能够基于大量的数据分析和模拟,提早预知何时需要维护。
在自动化和数字化的基础上,英飞凌百尺竿头,更进一步。英飞凌科技股份公司管理委员会成员兼首席运营官Jochen Hanebeck表示:“英飞凌现在有两座用于生产功率半导体器件的大型300毫米薄晶圆芯片工厂,一座位于德累斯顿,另一座位于菲拉赫。两座工厂基于相同的标准化生产和数字化理念,使得我们能够像控制一座工厂一样,来控制两座工厂的生产运营,不仅进一步提高了产能,而且能够为客户提供更高的灵活性。这是因为,我们能够在两座工厂之间迅速调整不同产品的产量,从而更加快速地响应客户需求。这两家工厂实质上“合体”成为同一个巨型虚拟工厂,成为英飞凌在300毫米制造领域树立的新标杆,能够进一步提高资源和能源使用效率、优化环境足迹。
全球300毫米薄晶圆技术
和功率半导体领域的开拓者
芯片在300毫米薄晶圆上进行生产制造,而薄晶圆的厚度只有40微米,比人的发丝还要细。菲拉赫是英飞凌功率半导体的专业核心,长期以来一直是公司生产制造网络中一个非常重要的、具有创新性的基地。约十年前,英飞凌在这里成功开发出了在300毫米薄晶圆上生产功率半导体的技术,并于近几年在德累斯顿工厂实现了全自动化批量生产。由于晶圆直径较大,这种技术的使用带来了显著的产能优势,并降低了资本开支。
能看见雪山的
芯片工厂成长史
我们一起来看看英飞凌在菲拉赫的“周边”故事吧。这是一座可以看见阿尔卑斯雪山的芯片工厂,世界上并不多见。
菲拉赫基地不仅是英飞凌奥地利公司的总部,也是英飞凌在德国以外的一个集中了研发、生产和全球业务能力的基地。其发展历程见证了英飞在半导体领域实力的成长。
1970年:西门子二极管生产在菲拉赫启动
1979年:在菲拉赫建造微电子学开发中心并开始在4英寸(100毫米)晶圆上生产芯片
1984年:开始在5英寸(120毫米)晶圆上进行芯片生产
1997年:菲拉赫成为全球电力电子能力中心,开始在6英寸(150毫米)晶圆上进行芯片生产
2000年:开始在8英寸(200毫米)晶圆上进行芯片生产
2006年:启动汽车和工业电子的能力中心(KAI)
2012年:在菲拉赫扩大生产和新建研发大楼
2013年:开始在12英寸(300毫米)薄晶圆上进行芯片生产
2017年:在菲拉赫设立碳化硅(SiC)半导体全球能力中心
2018年:决定在菲拉赫投资建设一个新的、完全自动化的300毫米芯片工厂和一个可容纳600个研发工作岗位的新研发大楼
2021年:全新全自动300毫米薄晶圆芯片工厂正式投产
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