HBM是应用直通矽晶穿孔(TSV)技术，大幅提高频宽的高速DRAM标准。HBM DRAM未来预期会搭载于下一代绘图处理器(GPU)、超级电脑、伺服器与网路装置上。可大幅减轻资料处理时的瓶颈现象，提升性能。
据ET News报导，日前业界消息传出，2016年1月31日三星与SK海力士将在美国旧金山召开的2016国际固态电路研讨会(ISSCC)会上，发表HBM2规格的DRAM研发成果。
专家表示，ISSCC只接受完成样品生产阶段的论文发表，由此可知两家公司的产品研发作业已接近尾声，届时SK海力士将公开64GB HBM2，三星则可望推出每秒收发307GB资料，比标准HBM2更高速的产品。最快2016年上半就可量产。
HBM是矽晶粒(Die)透过TSV技术堆叠以增加频宽的形态。第一代HBM以1.2伏特(V)工作电压，汇流频宽达1024bit，以1Gbps的速度收发资讯，每秒可处理128GB的资料，比目前最高速GDDR5快4倍以上。而HBM2的速度更快，资讯收发速度为2Gbps，每秒可处理256GB的资料。
由于HBM是在矽基板(interposer)上，以水平方式搭载系统单芯片(SoC)的系统级封装(SiP)形式供应，与SoC、封装业者的合作很重要。垂直堆叠4~8个DRAM晶粒中，只要有一个出问题就得全数废弃，因此良率管理是首要课题，初期价格也因此居高不下。
初期HBM DRAM标准化作业是由SK海力士与超微(AMD)主导。SK海力士量产的HBM最早搭载于AMD旗舰绘图卡Radeon R9 Fury X；而HBM2的标准化则又增加了三星、NVIDIA等多家厂商参与，未来量产后采用的产品应用范围可望更加广泛。
SK海力士计划以HBM最早商用化成功的案例积极吸引客户上门，目前NVIDIA与超微都已宣布将在下一代GPU中搭载HBM2，FPGA业者Altera也决定在未来的新产品上使用SK海力士的HBM2。
