据海外媒体报道，韩国三星电子为全球第一家量产 3D 架构 NAND 型快闪存储器(Flash Memory)的厂商，不过其NAND Flash 最大竞争对手东芝(Toshiba)追赶速度惊人，宣布已领先全球同业，研发出堆叠 64 层的 3D Flash 产品(见首图)，且开始进行送样。
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/201607/294616.htm东芝 27 日发布新闻稿宣布，已研发出堆叠 64 层的 3D Flash 制程技术，并自今日起领先全球同业开始进行样品出货，且预计将透过甫于 7 月完工的四日市工厂“新第 2 厂房”进行生产。
东芝指出，采用上述制程技术的 256Gb(32GB)产品预计将在 2017 年前半开始进行量产，主要用来抢攻数据中心 / PC 用 SSD、以及智慧手机、平板电脑、记忆卡等市场，且今后也计划推出 512Gb(64GB)产品。
东芝表示，和 48 层产品相比，此次新研发的 64 层产品每单位面积的记忆容量扩大至 1.4 倍，且每片晶圆所能生产的记忆容量增加、每 bit 成本也下滑。
日本科技网站 PC Watch 报导，美国 Western Digital 于当地时间 26 日宣布，已研发出全球首见的 64 层 3D Flash 技术，且已透过和东芝共同营运的四日市工厂开始进行试产，之后预计于 2017 年上半年内整备出可进行正式量产的体制。
