SK海力士计划明年第二季量产10 纳米DRAM
来源:电子产品世界 发布时间:2016-12-19 分享至微信

  继三星之后,SK 海力士计划明年开始量产 10 纳米 DRAM,在 1x DRAM 开发完成后,SK 海力士将继续研发 1y DRAM,并为发展 1z DRAM 铺路。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201612/341706.htm

  来自产业界的消息指出,SK 海力士 1x DRAM 开发代号设为 Alius,已准备进入量产前置作业。SK 海力士目前已经完成晶圆制样,正要在进行可靠度认证。

  半导体认证通常需将过工程试样(Engineering sample)与客户端式样(Customer sample)两道程序,在通过客户测试后,产品开发才算完成。据报导,SK 海力士为将量产时程往前推,打算直接做客户测试,暗示 1x DRAM 已经开发成功。

  一般认为,SK 海力士技术落后三星约 1 年半时间,但从 SK 海力士计划在明年第二季量产 10 纳米 DRAM 推算,两者差距已经拉近至 1 年 3 个月左右。

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