美银报告出炉：三季度DRAM均价环比涨幅或达21%

此前市场曾担心存储芯片企业第三季度财报会因平均售价涨幅未达预期而表现不佳。不过，据美国银行全球研究部7月中旬发布的渠道调查显示，这一担忧已被化解。该报告预测，第三季度动态随机存取存储器（DRAM）平均价格环比增幅有望达到21%，显著高于此前机构预测的13%至18%区间。美国银行基准预测还指出，第四季度DRAM合约价将保持高个位数增长；NAND闪存第三季度环比增长15%，第四季度基本持平，市场不会出现大幅下滑。

从现货市场的数据来看，价格回暖趋势更为显著。DRAM现货价格已连续八周上涨，其中16Gb DDR5价格约为49.2美元（约334.03元人民币），16Gb DDR4更是高达80.1美元（约543.81元人民币），远超2017年上一轮行业周期峰值时约10美元（约67.89元人民币）的水平。数据显示，目前DDR4与DDR5的合约价格基本持平，均处于35至40美元（约237.62元至271.57元人民币）区间，DDR5原有的价格溢价已消失，主要原因是DDR4产能收缩更为明显，引发了结构性供应短缺。此外，NAND闪存现货市场也同步复苏，1Tb晶圆价格周环比增长4%。

据美国银行分析，此次存储芯片价格上涨主要受五大因素支撑。首先，在高速LPDDR5的拉动下，服务器端DRAM需求环比增长20%至30%，超出市场原先预估的20%上限。其次，现货市场全面回暖，DDR5与较早规格的DDR4现货需求均表现强劲，推动7月份价格持续上扬。第三，客户的采购重心正从HBM3E向单价更高的HBM4转移，产品结构的升级进一步抬高了整体均价。第四，长期协议的保护作用有所减弱，通过长期协议销售的DRAM比例降至50%以下，非长期协议订单占比攀升至60%至70%，且受长期协议保护的订单价格也普遍实现5%至10%的环比增长。第五，部分终端制造商由于库存紧张而紧急追加订单，侧面印证了标准型DRAM与NAND闪存的季度环比增幅均超过20%。

注：按1美元≈6.79元人民币计算