大摩预测HBM市场四年暴增，存储芯片面临供应缺口

据摩根士丹利发布的最新存储器供需模型显示，人工智能（AI）对高带宽存储器（HBM）及NAND闪存的需求正大幅攀升。数据显示，HBM市场规模预计将从2023年的30亿美元（约合人民币203.68亿元）增长至2027年的940亿美元（约合人民币6381.84亿元），四年间的复合年增长率达到128%。同时，整体DRAM市场的供给充足率预计在2026年降至-17%，而NAND闪存同期的供给充足率将下滑至-15%。

在HBM领域，市场需求呈现出规模与价格同步上升的态势。具体而言，通用图形处理器（GPGPU）的出货量预计由147.4万颗增至1147.8万颗，专用集成电路（ASIC）出货量则从255.6万颗提升至981.9万颗。单颗芯片的HBM配置容量方面，GPGPU将从80GB增加至317GB，ASIC由40GB扩充至238GB。由于英伟达在GPGPU市场占据超过90%的份额，其出货节奏直接影响需求曲线。此外，HBM的生产也占用了大量常规DRAM的产能。模型假设SK海力士的HBM成品率在2025年和2027年分别达到60%和70%，三星与美光则从50%提升至70%。在此预期下，2027年HBM的产量约为5.38万亿Gb，仍低于5.61万亿Gb的市场需求。

在NAND闪存方面，AI相关应用的需求量预计从2025年的205EB激增至2027年的609EB，三年内增长近三倍。相比之下，个人电脑、智能手机及企业级通用固态硬盘等非AI领域的需求保持平稳。AI在NAND总需求中的占比将从18%逐步攀升至32%乃至41%，导致NAND整体供给充足率由2025年的+2%骤降至2026年的-15%。针对此类供应短缺现象，报告指出洁净室建设周期较长且极紫外（EUV）光刻机供应受限，构成了产能扩张的物理瓶颈，短期内难以迅速缓解。

针对市场上关于“产能过剩”的讨论，主要依据在于HBM每Gb均价从2023年的15美元（约合人民币101.84元）回落至2024年的12美元（约合人民币81.47元），并在2025至2027年间稳定在13美元（约合人民币88.26元），并未出现价格暴涨。然而，从产能与需求的增速来看，HBM产量在2025至2027年间需从2.28万亿Gb提升至5.38万亿Gb，产能增幅超过一倍，但需求增速更为显著。同时，在AI NAND应用中，尽管GPGPU的需求量在2027年从2026年的111EB降至83EB，但ASIC的需求量却由32EB增至61EB，整体需求呈现结构性转移而非周期性衰退。

未来验证供需关系的关键观察指标包括：HBM硅通孔（TSV）技术的月度产能爬坡进度、三大存储厂商的成品率能否如期提升至70%，以及AI ASIC出货量是否达到预期的981.9万颗。若上述任一指标未达预期，供应短缺状况或将加剧。对于NAND市场，AI企业级固态硬盘的需求表现是重要风向标。若AI训练数据湖及长上下文推理等应用确实推动需求达到609EB，供给充足率降至-15%的预期将得到印证；反之，若云服务提供商削减资本支出，市场供给则可能快速追赶上需求。

注：按1美元≈6.79人民币计算