韩企研发高压碳化硅芯片，首轮流片良率达八成

据韩国媒体《首尔新闻》7月15日消息，韩国功率半导体设计公司RootSemicon与碳化硅晶圆代工厂SK Powertec共同开发的1200V/11mΩ大尺寸碳化硅（SiC）MOSFET项目获得重要突破。该产品在首轮工程流片中取得了80%的平均良率。双方自今年4月达成晶圆代工产品开发合作以来，于5月完成首次流片，并在6月底实现晶圆下线，随后顺利通过了首批工程批次的性能及良率验证。由于大尺寸高压碳化硅器件的制造门槛较高，此次在研发初期即达到八成良率，充分表明其芯片设计与代工工艺已具备相当的成熟度。

RootSemicon主要致力于碳化硅功率半导体芯片的设计工作，而SK Powertec则是韩国国内拥有碳化硅器件量产能力的专业晶圆代工企业。此次双方强强联手，旨在整合各自在设计与制造领域的优势，构建韩国本土的高性能碳化硅器件研发与生产体系。这不仅有助于减少当地产业对海外代工渠道的依赖，也将进一步推动碳化硅功率器件的本土化进程。

这款1200V碳化硅MOSFET主要应用于800V电压平台的电动汽车电驱系统、储能变流器、大功率工业电源以及直流快充桩等核心场景。与传统的硅基功率器件相比，碳化硅器件拥有开关损耗低、耐高温以及功率密度高等显著优势，已成为推动新能源产业升级的关键元器件。

根据未来的发展规划，这两家企业将继续对该器件进行长期的可靠性测试，并不断优化生产工艺以进一步提升良率。同时，双方将稳步推进产品送样及商业化准备工作。基于此次研发的成功经验，他们计划未来开发更多规格的碳化硅功率器件，从而持续丰富和完善韩国本土的碳化硅产品线。