三星拟投数十万亿韩元，在韩国新建DRAM工厂

全球存储市场正受到AI服务器需求的强劲拉动，高带宽内存（HBM）及高规格标准动态随机存取存储器（DRAM）的需求持续攀升。为了满足算力相关的存储需求，各大头部存储原厂正不断优化产能结构，将先进制程产能向此类产品倾斜。随着智能算力中心建设的推进，市场对DRAM位元（bit）总量的需求稳步增长。据南亚科技等厂商此前预测，全球DRAM供需偏紧的局面可能会持续到2028年。

在此背景下，据韩国《经济日报》7月15日援引行业消息人士透露，三星电子打算在韩国京畿道器兴园区新建一座DRAM生产工厂。该项目的预计投资额高达数十万亿韩元，新厂房的施工最早可能在2026年第三季度动工，规划每月的晶圆产能大约为10万片。

据相关报道，该新建厂区的地块原本计划用于建设研发中心。三星此次更改用地规划，转而打造大规模DRAM生产线，主要是为了应对AI算力基础设施带来的存储需求增长，从而提前为中长期的DRAM供应做准备。器兴园区作为三星历史最悠久的半导体基地之一，长期以来承担着存储芯片的研发和量产工作。该园区在地理位置上靠近平泽和龙仁这两个核心半导体集群，能够与现有产能实现良好的协同配套。

在整体产能布局方面，三星正致力于构建一个多节点协同的韩国本土存储制造网络。其中，平泽园区作为核心基地，资源主要向HBM等高端存储产品的生产倾斜；龙仁芯片集群则在加快先进生产线的建设步伐。此次在器兴园区新增DRAM产能，再加上之前公布的光州两座芯片工厂投资计划，使得三星在韩国多地的产能布局更加完善，能够同时兼顾通用DRAM和AI高端存储产品的制造。