叶甜春团队FinFET项目荣获国家技术发明二等奖

在近期于人民大会堂举行的国家科学技术奖励大会及两院院士大会、中国科协全国代表大会上，2025年度国家科学技术奖获奖名单正式公布。其中，由中国科学院微电子研究所叶甜春研究员牵头研发的“集成电路FinFET器件工艺核心技术及重大应用”项目，获得国家技术发明奖二等奖。

据悉，该获奖项目在FinFET关键核心技术方面实现了创新。研发团队提出了包括FinFET有源区单扩散隔离在内的多项新技术，有效攻克了器件尺寸微缩等技术瓶颈。目前，相关技术已授权发明专利640多项，并许可给国内外多家大型集成电路制造企业，应用于其量产产品中。

作为我国集成电路工艺与器件领域的主要学术带头人，叶甜春曾出任中科院微电子所所长，并于2008年担任国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”技术总师，2019年当选国际欧亚科学院院士。在三十多年的科研工作中，他在先导工艺、纳米加工等领域取得多项研究成果，累计获得3项国家技术发明二等奖及多项省部级科技奖励。此外，他拥有120多项授权发明专利，发表学术论文300余篇，培养硕博研究生200余名，组织协调产业链上下游开展技术攻关，推动了国内半导体产业技术水平的提升。