美光砸钱扩建美国工厂，2035年投资超2500亿美元

据美光科技官方新闻通稿消息，该公司于当地时间2026年7月9日宣布提升其在美国的长期投资计划。这项长达至2035年的投资规划，全面涵盖了供应链配套、先进封装、前沿存储技术研发以及晶圆制造等各个关键环节，在美总投资额预计将突破2500亿美元（约17000.55亿元人民币）。

据官方声明透露，此次规划比2025年6月最初公布的2000亿美元（约13600.44亿元人民币）增加了500亿美元（约3400.11亿元人民币）。增加投资的主要原因是人工智能行业的快速发展促使全球存储芯片需求不断上升。美光预计高端内存产品的长期需求将保持强劲，并计划通过在多个基地同时扩充产能，使其在美国本土的DRAM产量达到全球总产能的40%。

这些资金将主要投向纽约州克莱镇、爱达荷州以及弗吉尼亚州马纳萨斯这三个核心区域，并伴随一系列新建和改造项目。具体包括在爱达荷州博伊西新建第二座先进存储晶圆厂，对弗吉尼亚的现有产线进行升级，以及在纽约州推进大型存储园区的建设。据悉，纽约州厂区在7月9日当天完成了首次混凝土浇筑，施工进度比预期提前了一个多季度，未来这里将成为全美最大的半导体制造中心。

据公告披露，美光还计划额外支出30亿美元（约204.01亿元人民币）以优化美国本土的半导体供应链生态。这其中包含为环球晶圆提供5亿美元（约34.00亿元人民币）的战略投资，用于协助其在美国建设300mm硅片工厂。此外，双方还签订了一份为期十年的硅片供应协议，以确保美光在扩产过程中的原材料供应稳定。

据公开产业信息显示，美光有望通过美国《芯片与科学法案》获得约61.4亿美元（约417.53亿元人民币）的补贴，用于支持其在本土建设先进的HBM和DRAM存储芯片生产线。此次大规模扩建不仅将带来众多高薪就业机会，还被视为提升美国半导体供应链自主性的关键举措，美国商务部长及纽约州州长等官员均出席了纽约厂区的浇筑仪式。

注：按1美元≈6.80人民币计算