三星举办SAFE论坛，发力AI代工与2纳米工艺

据韩媒Chosun Biz及首尔经济等媒体报道，7月1日，三星电子在韩国首尔瑞草大楼举行了SAFE论坛。本次活动以“硅智能的连接点”为主题，重点展示了为其芯片代工客户提供的涵盖设计、知识产权（IP）以及封装等环节的综合解决方案。

在技术工艺方面，三星电子披露了应对人工智能（AI）芯片需求的制程与设计创新战略。公司不仅公布了设计工艺协同优化（DTCO）策略和新一代2纳米工艺节点，还明确了针对AI芯片的工艺研发方向。为增强静态随机存取存储器（SRAM）的技术优势，三星正借助DTCO策略与高性能SRAM技术，全面优化功耗、性能及面积三大核心指标，从而助力客户研发新一代AI产品。此外，论坛现场还展出了采用4纳米工艺制造的相关AI芯片晶圆。业内消息显示，三星4纳米工艺的订单量呈现出持续增长的趋势，相关产能已达满载水平，同时市场对最前沿的2纳米工艺的咨询量也在不断攀升。

在生态合作方面，三星电子晶圆代工事业部设计平台开发室长申宗信在主题演讲中强调，公司将强化对AI需求的响应能力。除了深化与全球AI及高性能计算（HPC）客户的协作外，三星还将加大对韩国本土系统芯片客户的支持力度，致力于从单纯的代工制造向产业平台角色转型。韩国AI芯片初创企业Rebellions与EDA厂商西门子EDA（Siemens EDA）也受邀分享了基于三星工艺开发AI芯片的案例及2.5D/3D芯片设计支持方案。

同时，三星电子正积极构建韩国系统芯片产业生态，已加入韩国政府主导的制造AI转型（M.AX）联盟以及新一代半导体研发和人才培养项目。公司还通过多项目晶圆（MPW）计划，有效降低了本土集成电路设计企业的早期研发门槛。三星电子指出，随着AI芯片市场的不断扩张，整合设计、IP与封装的生态构建能力已成为代工竞争的关键，未来将继续依托SAFE与MPW计划，深化与各方合作。