卓镭激光冲刺科创板，拟募资扩建半导体激光器产线

今年6月末，北京卓镭激光技术股份有限公司的科创板上市申请获得上海证券交易所受理。该公司主要从事高端脉冲激光设备的研发与生产，此次上市计划募集资金30亿元。其中，11.61亿元将专项投入位于北京及西安的研发中心与制造基地项目，以扩大产能并提升技术水平。

在技术路线方面，企业采用光纤或固体种子光源结合多级放大器及非线性频率变换的方案，提升了设备的功率与波段范围。目前，该公司具备超快与高能量两类激光器的核心制造能力。其超快激光设备的脉宽范围涵盖皮秒至飞秒级别，支持红外到深紫外波段输出，峰值功率达到300W。同时，高能量激光设备的同步双路合成能量指标为80J。相关产品在国内同类自主品牌中占据较高的市场份额，推动了高端激光设备的国产替代进程。

在半导体制造领域，其设备被导入晶圆检测、激光退火、隐切、解键合以及玻璃通孔加工等前后道工艺环节，并可用于光刻机靶材测量。公司量产了高功率皮秒、高能量退火以及光刻机测量专用等多系列激光产品。下游客户包含中科飞测、精测电子、华卓精科等国内半导体设备与检测企业，部分产品亦出口至韩国伊欧激光等海外厂商。进入2024年后，半导体相关业务已成为该公司的首要收入来源。