应用材料推出3D芯片制造设备，专攻AI芯片量产

据科创板日报报道，为了满足人工智能芯片的大规模生产需求，应用材料公司近期推出了一套完整的三维芯片制造设备解决方案。该系列产品主要聚焦于混合键合、芯粒（Chiplet）异构集成以及高带宽存储器（HBM）等三维先进封装领域，进一步完善了精密计量检测、薄膜沉积与平坦化等全链条的设备供应能力。

当前，人工智能服务器对算力的渴求呈现出爆发式增长，促使混合键合、芯粒拼接及HBM堆叠等技术加速迈入大规模量产期，这也使得先进封装生产线对成套工艺装备的需求不断加剧。在此背景下，应用材料将量测、抛光及沉积等多种类型的设备进行了有效整合，打造出适用于2.5D和3D集成全流程的工具组合，实现了从存储芯片、逻辑芯片至异构封装整个制造过程的全面覆盖。

这套全新装备的核心服务对象是堆叠存储与AI算力芯片的封装生产，精准对接HBM内存堆叠及Chiplet架构里的核心制造步骤。此次亮相的工艺装备包含了多种专用于封装的机型，例如等离子体增强化学气相沉积设备、电化学沉积设备以及先进的化学机械抛光设备，能够胜任介质薄膜生长、铜互连填充和晶圆表面平整化等关键任务。

针对HBM的量产环境，上述设备能够顺利执行低应力介质膜沉积、高密度铜柱电镀、表面全局平坦化及晶圆减薄等多层存储堆叠必需的工艺。由于混合键合技术对晶圆的平整度有着极为严苛的标准，配套的抛光装备可实时把控整片晶圆的厚度误差，从而确保铜对铜直接键合的成品率。此外，电化学沉积装备主要负责微凸点与硅通孔的无缝填充，有效化解了多层芯片堆叠过程中互连结构高低不平的难题，进而减少了层间接触失效的隐患。

除了平坦化与沉积装备，该系列产品还引入了电子束在线工艺检测系统，大幅提升了互连结构与晶圆微观形貌的测量水平，确保了硅通孔及细间距微凸点工艺的稳定性。与此同时，该公司还对既有的动态随机存取存储器（DRAM）生产装备进行了更新换代，发布了新一代外延沉积机型，使其能更完美地契合堆叠存储芯片的前端生产流程，成功实现了存储芯片前段工艺与后端三维封装在设备层面的无缝对接。