SK海力士投1100万亿韩元扩产，应对AI存储需求

当前人工智能技术快速发展，带动各行业对先进存储芯片的需求大幅攀升，导致存储半导体市场出现供不应求的局面。为此，SK海力士规划了总额达1100万亿韩元（约人民币48444.00亿元）的中长期投资方案，项目分布在韩国龙仁、清州及西南地区。

在龙仁地区，SK海力士正推进半导体产业集群的建设，以缓解动态随机存取存储器（DRAM）的供应压力。该企业计划在此投入600万亿韩元（约人民币26424.00亿元），用于逐步完善制造设施与生产设备。按照最新规划，该集群的第四座晶圆厂将于2033年竣工，较2045年的原定目标提前了12年。

针对NAND闪存及高带宽存储器（HBM）的产能扩充，SK海力士将在清州投入100万亿韩元（约人民币4404.00亿元）。这笔资金将用于新建NAND闪存晶圆厂、配置相关制造设备，并提升HBM后段工序的先进封装产能，从而将清州打造成集NAND、HBM与先进封装于一体的综合性制造基地。

此外，SK海力士还打算在韩国西南地区斥资400万亿韩元（约人民币17616.00亿元）构建全新的半导体产业集群。该计划将分步骤实施，涉及土地收购、厂房施工及设备导入。该区域具备充足的空间以及稳定的水电等配套基础设施，能够为企业未来的制造中心提供保障。

通过上述布局，SK海力士在原有生产基地的基础上，进一步将制造版图延伸至龙仁与西南地区，以匹配全球人工智能存储市场的扩张趋势。

注：按1韩元≈0.0044人民币计算