半导体设备国产化率23.2%，2030年将达39%

据韩媒ET News援引市调机构Yole Group发布的《中国本土半导体设备产业2026》报告，中国大陆半导体设备的本土化进程正在不断提速。数据显示，其本土化比例已从2021年的8%增长至2025年的23.2%，并有望在2030年攀升至39%，实现近乎翻倍的增长。

在具体技术环节方面，得益于技术水平的成熟以及本土晶圆厂导入意愿的增强，国产设备在刻蚀、薄膜沉积、化学机械抛光（CMP）以及薄膜等领域的替代步伐显著加快。同时，在量测检测、湿法清洗和离子注入等环节也保持着稳健的发展态势。然而，光刻技术依然是该产业长期面临的核心技术瓶颈。

此外，本土存储芯片制造商的产能扩充也为设备市场注入了强劲动力。据报道，在人工智能算力需求激增与供应链安全的双重驱动下，长鑫存储和长江存储均在积极扩充产能，这使得上游设备供应商成为本轮扩产周期的主要受益方。

据悉，长鑫存储正在推进上海工厂的扩建工程，规划月产能达40万至60万片晶圆，规模约为合肥工厂的两到三倍，预计2027年投入量产。同时，长江存储位于武汉的第三座工厂也瞄准2027年投产，且新工厂规划将一半产能用于DRAM（动态随机存取存储器）生产。在相关政策引导与产业布局下，北京、上海和深圳正聚焦逻辑芯片，而武汉与合肥则致力于打造存储芯片制造中心，形成了产能扩张与设备本土化协同发展的格局。

业内人士透露，本土存储企业有望通过提升国内市场份额来实现规模扩张。但在缺乏极紫外（EUV）光刻设备的前提下，推进DRAM先进制程可能会受到成本竞争力的制约，设备技术水平的差异将成为决定产品市场竞争力的关键因素。